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目录

第1章 集成电路设计概述

• 1.1 集成电路的发展
• 1.2 集成电路设计流程及设计环境
• 1.3 集成电路制造途径
• 1.4 集成电路设计的知识范围
• 思考题

第2章 集成电路材料、结构与理论

• 2.1 集成电路材料
• 2.1.1 硅
• 2.1.2 砷化镓
• 2.1.3 磷化铟
• 2.1.4 锗硅
• 2.1.5 氮化镓
• 2.1.6 绝缘材料
• 2.1.7 金属材料
• 2.1.8 多晶硅
• 2.1.9 材料系统
• 2.2 半导体基础知识
• 2.2.1 半导体的晶体结构
• 2.2.2 本征半导体与杂质半导体
• 2.3 PN结与结型二极管
• 2.3.1 PN结的扩散与漂移
• 2.3.2 PN结型二极管
• 2.3.3 肖特基结二极管
• 2.3.4 欧姆型接触
• 2.4 双极型晶体管
• 2.4.1 双极型晶体管的基本结构
• 2.4.2 双极型晶体管的工作原理
• 2.5 MOS场效应晶体管
• 2.5.1 MOS场效应晶体管的基本结构
• 2.5.2 MOS场效应晶体管的工作原理
• 2.5.3 MOS场效应晶体管的伏安特性
• 思考题
• 本章参考文献

第3章 集成电路基本工艺

• 3.1 外延生长
• 3.2 掩模版的制造
• 3.3 光刻原理与流程
• 3.3.1 光刻步骤
• 3.3.2 曝光方式
• 3.4 氧化
• 3.5 淀积与刻蚀
• 3.6 掺杂原理与工艺
• 思考题
• 本章参考文献

第4章 集成电路器件工艺

• 4.1 双极型集成电路的基本制造工艺
• 4.1.1 双极型硅工艺
• 4.1.2 HBT工艺
• 4.2 MESFET和HEMT工艺
• 4.2.1 MESFET工艺
• 4.2.2 HEMT工艺
• 4.3 MOS和相关的VLSI工艺
• 4.3.1 PMOS工艺
• 4.3.2 NMOS工艺
• 4.3.3 CMOS工艺
• 4.4 BiCMOS工艺
• 思考题
• 本章参考文献

第5章 MOS场效应管的特性

• 5.1 MOS场效应管
• 5.1.1 MOS管伏安特性的推导
• 5.1.2 MOS电容的组成
• 5.1.3 MOS电容的计算
• 5.2 MOSFET的阈值电压VT
• 5.3 体效应
• 5.4 MOSFET的温度特性
• 5.5 MOSFET的噪声
• 5.6 MOSFET尺寸按比例缩小
• 5.7 MOS器件的二阶效应
• 5.7.1 L和W的变化
• 5.7.2 迁移率的退化
• 5.7.3 沟道长度的调制
• 5.7.4 短沟道效应引起的阈值电压的变化
• 5.7.5 狭沟道效应引起的阈值电压的变化
• 思考题
• 本章参考文献

第6章 集成电路器件及SPICE模型

• 6.1 无源器件结构及模型
• 6.1.1 互连线
• 6.1.2 电阻
• 6.1.3 电容
• 6.1.4 电感
• 6.1.5 分布参数元件
• 6.2 二极管电流方程及SPICE模型
• 6.2.1 二极管的电路模型
• 6.2.2 二极管的噪声模型
• 6.3 双极型晶体管电流方程及SPICE模型
• 6.3.1 双极型晶体管的EM模型
• 6.3.2 双极型晶体管的GP模型
• 6.4 结型场效应JFET ( NJF/PJF ) 模型
• 6.5 MESFET（NMF/PMF）模型（SPICE3.x）
• 6.6 MOS管电流方程及SPICE模型
• 思考题
• 本章参考文献

第7章 SPICE数模混合仿真程序的设计流程及方法

• 7.1 采用SPICE的电路设计流程
• 7.2 电路元件的SPICE输入语句格式
• 7.3 电路特性分析语句
• 7.4 电路特性控制语句
• 7.5 HSPICE缓冲驱动器设计实例
• 7.6 HSPICE跨导放大器设计实例
• 7.7 PSPICE电路图编辑器简介
• 7.8 PSPICE缓冲驱动器设计实例
• 7.9 PSPICE跨导放大器设计实例
• 思考题
• 本章参考文献

第8章 集成电路版图设计与工具

• 8.1 工艺流程的定义
• 8.2 版图几何设计规则
• 8.3 图元
• 8.3.1 MOS晶体管
• 8.3.2 集成电阻
• 8.3.3 集成电容
• 8.3.4 寄生二极管与三极管
• 8.4 版图设计准则
• 8.4.1 匹配设计
• 8.4.2 抗干扰设计
• 8.4.3 寄生优化设计
• 8.4.4 可靠性设计
• 8.5 电学设计规则与布线
• 8.6 基于Cadence平台的全定制IC设计
• 8.6.1 版图设计的环境
• 8.6.2 原理图编辑与仿真
• 8.6.3 版图编辑与验证
• 8.6.4 CMOS差动放大器版图设计实例
• 8.7 芯片的版图布局
• 8.8 版图设计的注意事项
• 思考题
• 本章参考文献

第9章 模拟集成电路基本单元

• 9.1 电流源电路
• 9.1.1 双极型镜像电流源
• 9.1.2 MOS电流镜
• 9.2 基准电压源设计
• 9.2.1 双极型三管能隙基准源
• 9.2.2 MOS基准电压源
• 9.3 单端反相放大器
• 9.3.1 基本放大电路
• 9.3.2 改进的CMOS推挽放大器
• 9.4 差分放大器
• 9.4.1 BJT差分放大器
• 9.4.2 MOS差分放大器
• 9.4.3 CMOS差分放大器设计实例
• 9.5 运算放大器
• 9.5.1 性能参数
• 9.5.2 套筒式共源共栅运放
• 9.5.3 折叠式共源共栅运放
• 9.5.4 两级运放
• 9.5.5 CMOS运算放大器设计实例
• 9.6 振荡器
• 9.6.1 环形振荡器
• 9.6.2 LC振荡器
• 思考题
• 本章参考文献

第10章 数字集成电路基本单元与版图

• 10.1 TTL基本电路
• 10.1.1 TTL反相器
• 10.1.2 TTL与非门
• 10.1.3 TTL或非门
• 10.2 CMOS基本门电路及版图实现
• 10.2.1 CMOS反相器
• 10.2.2 CMOS与非门和或非门
• 10.2.3 CMOS传输门和开关逻辑
• 10.2.4 三态门
• 10.2.5 驱动电路
• 10.3 数字电路标准单元库设计
• 10.3.1 基本原理
• 10.3.2 库单元设计
• 10.4 焊盘输入/输出单元
• 10.4.1 输入单元
• 10.4.2 输出单元
• 10.4.3 输入/输出双向三态单元（I/O PAD）
• 10.5 了解CMOS存储器
• 10.5.1 动态随机存储器（DRAM）
• 10.5.2 静态随机存储器（SRAM）
• 10.5.3 闪存
• 思考题
• 本章参考文献

第11章 集成电路数字系统设计基础

• 11.1 数字系统硬件描述语言
• 11.1.1 基于HDL的设计流程
• 11.1.2 Verilog HDL介绍
• 11.1.3 硬件描述语言VHDL
• 11.2 数字系统逻辑综合与物理实现
• 11.2.1 逻辑综合的流程
• 11.2.2 Verilog HDL与逻辑综合
• 11.2.3 自动布局布线
• 11.3 数字系统的FPGA/CPLD硬件验证
• 11.3.1 PLD概述
• 11.3.2 现场可编程门阵列FPGA
• 11.3.3 基于FPGA的数字系统硬件验证
• 思考题
• 本章参考文献

第12章 集成电路的测试和封装

• 12.1 集成电路在芯片测试技术
• 12.2 集成电路封装形式与工艺流程
• 12.3 芯片键合
• 12.4 高速芯片封装
• 12.5 混合集成与微组装技术
• 12.6 数字集成电路测试方法
• 12.6.1 可测试性的重要性
• 12.6.2 测试基础
• 12.6.3 可测试性设计
• 思考题
• 本章参考文献